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“中国功率半导体领路人”陈星弼院士在成都逝世
发布日期:2019-12-05 来源:新华网
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新华社成都12月4日电(记者吴晓颖)记者4日从电子科技大学获悉,中国科学院院士、九三学社社员、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效,于4日17时10分在成都逝世,享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江浦江。1952年从同济大学电机系毕业后,他先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。1999年当选为中国科学院院士,2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他一生发表学术论文200余篇,获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家,他的超结发明专利打破传统“硅极限”,被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。

陈星弼曾获得国家技术发明奖、科技进步奖等诸多荣誉,2015年获得IEEE ISPSD(国际功率半导体器件与集成电路年会)颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”,成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂,成为首位入选名人堂的华人科学家。